Name: BSR315PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSR315PH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.7854 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSR315PH6327XTSA1
DigiKey-Teilenr.	BSR315PH6327XTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSR315PH6327XTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSR315PH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSR315PH6327XTSA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 620mA (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage PG-SC59-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSR315PH6327XTSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	620mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	800mOhm bei 620mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 160µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	176 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SC59-3
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	BSR315