Name: BSP88H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP88H6327XTSA1TR-ND
Price: 0.8092 EUR
Availability: InStock

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BSP88H6327XTSA1
cms-digikey-product-number	BSP88H6327XTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSP88H6327XTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSP88H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	BSP88H6327XTSA1
cms-description	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
cms-standard-lead-time	10 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 240 V 350mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	BSP88H6327XTSA1 Modelle

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	240 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	350mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6Ohm bei 350mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,4V bei 108µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	95 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,8W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT223-4
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	BSP88H6327

Stückpreis ohne MwSt.:	0,68000 €
Stückpreis mit MwSt.:	0,80920 €