Name: IRF7820TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7820TRPBFTR-ND
Price: 1.6184 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF7820TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF7820TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF7820TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF7820TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7820TRPBF
Beschreibung	MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 3,7 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF7820TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	78mOhm bei 2,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1750 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	IRF7820