Name: BSP372NH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP372NH6327XTSA1TR-ND
Price: 1.1305 EUR
Availability: InStock

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BSP372NH6327XTSA1
cms-digikey-product-number	BSP372NH6327XTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSP372NH6327XTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSP372NH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	BSP372NH6327XTSA1
cms-description	MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
cms-standard-lead-time	12 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 100 V 1,8 A (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	BSP372NH6327XTSA1 Modelle

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	230mOhm bei 1,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,8V bei 218µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	329 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,8W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT223-4
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	BSP372

Stückpreis ohne MwSt.:	0,95000 €
Stückpreis mit MwSt.:	1,13050 €