Name: BSP170PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP170PH6327XTSA1TR-ND
Price: 1.1543 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSP170PH6327XTSA1
DigiKey-Teilenr.	BSP170PH6327XTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSP170PH6327XTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSP170PH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSP170PH6327XTSA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 1,9 A (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSP170PH6327XTSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,9 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	300mOhm bei 1,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	410 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,8W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT223-4
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	BSP170