Name: BSC117N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC117N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 1.9873 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC117N08NS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC117N08NS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC117N08NS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC117N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC117N08NS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 49 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC117N08NS5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	49 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,7mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 22µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1300 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-7
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC117