Name: BSC105N15LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC105N15LS5ATMA1TR-ND
Price: 3.7723 EUR
Availability: InStock

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BSC105N15LS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSC105N15LS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSC105N15LS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSC105N15LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC105N15LS5ATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 10,7A (Ta), 76A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10,5mOhm bei 40A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 91µA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3000 pF @ 75 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10,7A (Ta), 76A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN