Name: BSC097N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC097N06NSATMA1TR-ND
Price: 1.4756 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC097N06NSATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC097N06NSATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC097N06NSATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC097N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC097N06NSATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 46 A (Tc) 2,5W (Ta), 36W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC097N06NSATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	46 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,7mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,3V bei 14µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1075 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-6
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC097