Name: BSC0902NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0902NSIATMA1TR-ND
Price: 1.2376 EUR
Availability: InStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Hilfe und Unterstützung Status der Bestellung Versandtarife/Optionen Rücksendungen und Probleme bei der Bestellung Impressum

Chat (+49) 30 915 884 91 eu.support@digikey.com Co-Browse

Lokaler Support: Theresienhöhe 11A 80339 München, Germany

BSC0902NSIATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC0902NSIATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC0902NSIATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC0902NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC0902NSIATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 23 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 48W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC0902NSIATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	23 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,8mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1500 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-6
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC0902

Stückpreis ohne MwSt.:	1,04000 €
Stückpreis mit MwSt.:	1,23760 €