BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC082N10LSGATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC082N10LSGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC082N10LSGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC082N10LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC082N10LSGATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 13,8 A (Ta), 100 A (Tc) 156W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC082N10LSGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13,8 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,2mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 110µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	104 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7400 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC082