Name: BSC047N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC047N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 3.0821 EUR
Availability: InStock

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BSC047N08NS3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC047N08NS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC047N08NS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC047N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC047N08NS3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 18 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC047N08NS3GATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	18 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,7mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 90µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4800 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC047

Stückpreis ohne MwSt.:	2,59000 €
Stückpreis mit MwSt.:	3,08210 €