Name: BSC042NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.38 EUR
Availability: InStock

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BSC042NE7NS3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC042NE7NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC042NE7NS3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 75 V 19 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC042NE7NS3GATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	19 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,2mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 91µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4800 pF @ 37.5 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC042

Stückpreis ohne MwSt.:	2,00000 €
Stückpreis mit MwSt.:	2,38000 €