Name: BSC010N04LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010N04LSIATMA1TR-ND
Price: 2.9274 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC010N04LSIATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC010N04LSIATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC010N04LSIATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC010N04LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC010N04LSIATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 37 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 139W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC010N04LSIATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 87 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6200 pF @ 20 V
Status der Komponente Aktiv	FET-Merkmal Schottky-Diode (Körper)
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 139W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 37 A (Ta), 100 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8 FL
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,05mOhm bei 50A, 10V	Basis-Produktnummer BSC010