Name: AIMW120R045M1XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMW120R045M1XKSA1-ND
Price: 25.7278 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 52 A (Tc) 228W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3

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AIMW120R045M1XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-AIMW120R045M1XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AIMW120R045M1XKSA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 52 A (Tc) 228W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	AIMW120R045M1XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57 nC @ 15 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) +20V, -7V
Serie CoolSiC™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2130 pF @ 800 V
Verpackung Stange	Verlustleistung (max.) 228W (Tc)
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 52 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 59mOhm bei 20A, 15V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Vgs(th) (max.) bei Id 5,7V bei 10mA	Basis-Produktnummer AIMW120

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
MSC025SMA120B4	Microchip Technology	14	150-MSC025SMA120B4-ND	35,13000 €	Ähnlich

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1	21,62000 €	21,62 €
30	13,79667 €	413,90 €
120	12,08550 €	1.450,26 €
510	11,97084 €	6.105,13 €

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