Name: 2N7002H6327XTSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2N7002H6327XTSA2TR-ND
Price: 0.1547 EUR
Availability: InStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Hilfe und Unterstützung Status der Bestellung Versandtarife/Optionen Rücksendungen und Probleme bei der Bestellung Impressum

Chat (+49) 30 915 884 91 eu.support@digikey.com Co-Browse

Lokaler Support: Theresienhöhe 11A 80339 München, Germany

2N7002H6327XTSA2
DigiKey-Teilenr.	2N7002H6327XTSA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 2N7002H6327XTSA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 2N7002H6327XTSA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	2N7002H6327XTSA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 300mA (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT23
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2N7002H6327XTSA2 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	300mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	20 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT23
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	2N7002

Stückpreis ohne MwSt.:	0,13000 €
Stückpreis mit MwSt.:	0,15470 €