GSFD9R706
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GSFD4N65

DigiKey-Teilenr.
4786-GSFD4N65-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GSFD4N65
Beschreibung
MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 77W (Tc) Oberflächenmontage TO-252 (DPAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,7Ohm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
430 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
77W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Gehäuse / Hülle
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1000,24150 €24,15 €
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1.0000,16481 €164,81 €
2.5000,14454 €361,35 €
5.0000,13199 €659,95 €
10.0000,12144 €1.214,40 €
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