Name: GD30MPS12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-GD30MPS12J-TR-ND
Price: 10.6624 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GD30MPS12J-TR
DigiKey-Teilenr.	1242-GD30MPS12J-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1242-GD30MPS12J-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1242-GD30MPS12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GD30MPS12J-TR
Beschreibung	DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 1200 V 59A Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	SiC Schottky MPS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	59A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.8 V @ 30 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	20 µA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F	1101pF bei 1V, 1MHz
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C