G2R50MT33K
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G2R50MT33K

DigiKey-Teilenr.
1242-G2R50MT33K-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
G2R50MT33K
Beschreibung
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 3300 V 63 A (Tc) 536W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
G2R50MT33K Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
3300 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
50mOhm bei 40A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 10mA (typisch)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
340 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7301 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
536W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Gehäuse / Hülle
Fragen und Antworten zum Produkt

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