FDN357N Fairchild Semiconductor | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDN357N
DigiKey-Teilenr.	2156-FDN357N-ND
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	FDN357N
Beschreibung	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 1,9 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Fairchild Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,9 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	60mOhm bei 2,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5.9 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	235 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3