Name: DIW065SIC015
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIW065SIC015-ND
Price: 33.7008 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DIW065SIC015
DigiKey-Teilenr.	4878-DIW065SIC015-ND
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DIW065SIC015
Beschreibung	SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A,
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 150 A (Tc) 550W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DIW065SIC015 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	150 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	15mOhm bei 75A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 15mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	236 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+15V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7169 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	550W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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30	18,59800 €	557,94 €
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