Name: DIF120SIC022
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIF120SIC022-ND
Price: 74.9819 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DIF120SIC022
DigiKey-Teilenr.	4878-DIF120SIC022-ND
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DIF120SIC022
Beschreibung	SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Standardlieferzeit des Herstellers	9 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 120 A (Tc) 340W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DIF120SIC022 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	22,3mOhm bei 75A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 23,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	269 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+18V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4817 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	340W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	63,01000 €	63,01 €
30	40,85400 €	1.225,62 €
120	30,90217 €	3.708,26 €

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