Name: DMTH6012LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH6012LPSWQ-13TR-ND
Price: 1.1543 EUR
Availability: InStock

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DMTH6012LPSWQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH6012LPSWQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMTH6012LPSWQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMTH6012LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH6012LPSWQ-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 2,22V bei 15V, 75A 78689-0001 Oberflächenmontage Accelerometer, 3 Axis, Impact
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,22V bei 15V, 75A
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	785 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	78689-0001
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	Accelerometer, 3 Axis, Impact
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	DMTH6012