Name: DMTH6002LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6002LPS-13DITR-ND
Price: 3.0702 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMTH6002LPS-13
DigiKey-Teilenr.	DMTH6002LPS-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMTH6002LPS-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMTH6002LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH6002LPS-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 100 A (Tc) 167W Oberflächenmontage PowerDI5060-8 (Typ K)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMTH6002LPS-13 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 130.8 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6555 pF @ 30 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 167W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI5060-8 (Typ K)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2mOhm bei 50A, 10V	Basis-Produktnummer DMTH6002