Name: DMTH15H017LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH15H017LPSWQ-13TR-ND
Price: 2.0825 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMTH15H017LPSWQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH15H017LPSWQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMTH15H017LPSWQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMTH15H017LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH15H017LPSWQ-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 8 A (Ta), 50 A (Tc) 1,5W (Ta), 107W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI5060-8 (Typ UX)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Ta), 50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17,5mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,6V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3369 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,5W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI5060-8 (Typ UX)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	DMTH15