Name: DMP6018LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP6018LPSQ-13TR-ND
Price: 2.7846 EUR
Availability: InStock

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DMP6018LPSQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMP6018LPSQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMP6018LPSQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMP6018LPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMP6018LPSQ-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 60 A (Tc) 2,6W (Ta), 113W (Tc) Oberflächenmontage PowerDI5060-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMP6018LPSQ-13 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13.7 nC @ 10 V
Herst. Diodes Incorporated	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3505 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,6W (Ta), 113W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI5060-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 17A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA