Name: DMN3732UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3732UFB4-7BTR-ND
Price: 0.2499 EUR
Availability: InStock

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DMN3732UFB4-7B
DigiKey-Teilenr.	31-DMN3732UFB4-7BTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMN3732UFB4-7BCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMN3732UFB4-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN3732UFB4-7B
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 1,3 A (Ta) 490mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN1006-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	460mOhm bei 200mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	950mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	40.8 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	490mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X2-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle	3-XFDFN
Basis-Produktnummer	DMN3732

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)