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Parametrisches Äquivalent

DMN3732UFB4-7B
Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,21000 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

DMN3732UFB4Q-7B
Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,23000 €
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X2-DFN1006-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN3732UFB4-7

DigiKey-Teilenr.
31-DMN3732UFB4-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer
DMN3732UFB4-7
Beschreibung
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 1,3 A (Ta) 490mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN1006-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Diodes Incorporated
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
460mOhm bei 200mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
950mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
40.8 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
490mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
X2-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
DMN3732
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