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Parametrisches Äquivalent


Diodes Incorporated
Vorrätig: 163
Stückpreis : 0,37000 €
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Parametrisches Äquivalent


Diodes Incorporated
Vorrätig: 170
Stückpreis : 0,37000 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,05565 €
Datenblatt
N-Kanal 20 V 4,8 A (Ta) 800mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN2055UQ-7

DigiKey-Teilenr.
31-DMN2055UQ-7-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DMN2055UQ-7
Beschreibung
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 20 V 4,8 A (Ta) 800mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
38mOhm bei 3,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
4.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
400 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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