Name: DMN10H170SK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SK3Q-13DITR-ND
Price: 0.9044 EUR
Availability: InStock

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DMN10H170SK3Q-13
DigiKey-Teilenr.	DMN10H170SK3Q-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN10H170SK3Q-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN10H170SK3Q-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN10H170SK3Q-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 12 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage TO-252-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	140mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	9.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1167 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	42W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	DMN10