Name: DMG4800LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4800LK3-13DITR-ND
Price: 0.8925 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMG4800LK3-13
DigiKey-Teilenr.	DMG4800LK3-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMG4800LK3-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMG4800LK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMG4800LK3-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 10 A (Ta) 1,71W (Ta) Oberflächenmontage TO-252-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,6V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.7 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	798 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,71W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	DMG4800

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 6.791

Bestand des Herstellers: 17.500

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)