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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Comchip Technology
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Upgrade


onsemi
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Datenblatt
Dioden 800 V 3A Durchkontaktierung DO-27
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HER307GA-G

DigiKey-Teilenr.
HER307GA-G-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
HER307GA-G
Beschreibung
DIODE STANDARD 800V 3A DO27
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 800 V 3A Durchkontaktierung DO-27
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
HER307GA-G Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Geschwindigkeit
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Herst.
Umkehrerholungszeit (trr)
75 ns
Verpackung
Band & Box (TB)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 µA @ 800 V
Status der Komponente
Aktiv
Montagetyp
Technologie
Gehäuse / Hülle
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-27
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 150°C
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 3 A
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
HER307GT-GComchip Technology0HER307GT-G-ND0,21641 €Parametrisches Äquivalent
EGP30Konsemi777EGP30KCT-ND1,08000 €Upgrade
1N5627-TAPVishay General Semiconductor - Diodes Division17.4051N5627-TAPGICT-ND3,13000 ۀhnlich
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Auf Bestellung verfügbar
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Alle Preise in EUR
Band & Box (TB)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1.2000,21641 €259,69 €
2.4000,19718 €473,23 €
3.6000,18965 €682,74 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:0,25753 €