AM60N10-70P
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AM60N10-70P

DigiKey-Teilenr.
5318-AM60N10-70P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AM60N10-70P
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 60 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
70mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
972 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
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