650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

Die 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) der 3. Generation von Toshiba sind für industrielle Hochleistungsanwendungen wie AC/DC-Netzteile mit Eingängen von 400 V und 800 VAC, Photovoltaik-Wechselrichter und bidirektionale DC/DC-Wandler für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) konzipiert.

Diese MOSFETs tragen zur Senkung des Stromverbrauchs und zur Verbesserung der Leistungsdichte bei – dank SiC-Technologie, die den Bauelementen einen höheren Spannungswiderstand, schnelleres Schalten und einen geringeren Betriebswiderstand ermöglicht. Das Chip-Design der dritten Generation von Toshiba bietet eine verbesserte Zuverlässigkeit. Die 650-V-Produkte besitzen eine Eingangskapazität (C_ISS) von 4850 pF (typ.), eine niedrige Gate-Eingangsladung (Q_g) von 128 nC (typ.) und einen Drain-Source-Betriebswiderstand (R_DS(ON)) von nur 15 mΩ (typ.).

Die 1200-V-Produkte bieten darüber hinaus eine ähnlich niedrige Eingangskapazität (C_ISS) von 6000 pF (typ.), eine Gate-Eingangsladung (Q_g) von 158 nC (typ.) und einen Drain-Source-Betriebswiderstand (R_DS(ON)) von 15 mΩ (typ.).

Sowohl 650-V- als auch 1.200-V-SiC-MOSFETs werden neben den oberflächenmontierbaren TOLL- und DFN8x8-Gehäusen in einem branchenüblichen TO-247-Gehäuse mit drei Anschlüssen angeboten.