VideoLibrary

650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation | Datasheet Preview

Die 650- und 1200-Volt-Siliziumkarbid-MOSFETs der dritten Generation von Toshiba sind für hocheffiziente Stromversorgungen konzipiert. Die SiC-MOSFETs werden im dreipoligen TO-247-Standardgehäuse ausgeliefert und sind speziell für industrielle Hochleistungsanwendungen wie 400- und 800-Volt-AC-Stromversorgungen, Solar-Wechselrichter und bidirektionale DC/DC-Wandler für unterbrechungsfreie Stromversorgungen vorgesehen. Die MOSFETs tragen dazu bei, den Stromverbrauch zu senken und die Leistungsdichte durch eine höhere Spannung, schnelleres Schalten und einen geringeren Durchlass-Widerstand zu verbessern. Die 650-Volt-Versionen verfügen über eine Eingangskapazität von 4850 Picofarad, eine niedrige Gate-Eingangsladung von 128 Nanocoulomb und einen Drain-Source-Durchlass-Widerstand von nur 15 Milliohm. Die 1200-Volt-Versionen zeichnen sich durch eine Eingangskapazität von 6000 Picofarad, eine niedrige Gate-Eingangsladung von 158 Nanocoulomb und einen Drain-Source-Durchlass-Widerstand von nur 15 Milliohm aus.

12/28/2022 7:43:26 PM

Part List

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOHTW015N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH39 - Sofort$51.48Details anzeigen
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOHTW027N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH20 - Sofort$23.57Details anzeigen
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MOTW107N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO30 - Sofort$10.25Details anzeigen
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140MTW140N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M48 - Sofort$11.65Details anzeigen
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MOTW060N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO39 - Sofort$19.83Details anzeigen
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MOTW045N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO51 - Sofort$24.41Details anzeigen
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MOTW030N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO40 - Sofort$32.90Details anzeigen
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MOTW015N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO51 - Sofort$66.83Details anzeigen
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOHTW083N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH112 - Sofort$14.06Details anzeigen
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOHTW048N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH29 - Sofort$17.01Details anzeigen

Related Videos

Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

Datum der Veröffentlichung: 2022-11-22

Related Product Highlight

650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation Die 650-V- und 1200-V-SiC-Technologie von Toshiba ist ideal für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen.
400-V-Wechselrichterlösung für bürstenlose AC-Motoren Die 400-V-Wechselrichterlösung für bürstenlose AC-Motoren verwendet modernste SiC-MOSFETs, die bei hohen Spannungen einen höheren Wirkungsgrad als die IGBT-Bausteine bieten.

Related Articles and Blogs

Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.
Verwendung von SiC-MOSFETs der dritten Generation in Stromversorgungsdesigns für höhere Leistung und Effizienz Siliziumkarbid-MOSFETs bieten im Vergleich zu reinen Silizium-Bauelementen zahlreiche Vorteile; Bauelemente der dritten Generation überwinden die Schwächen früherer Produkte.