Halbbrücken-MOSFET- und -GaN-FET-Treiber LMG1210

Der LMG1210 von Texas Instruments ist ein 200-V-Halbbrücken-MOSFET- und -GaN-FET-Treiber (Galliumnitrid-Feldeffekttransistor), der für extrem effiziente Ultrahochfrequenzanwendungen konzipiert wurde und eine einstellbare Totzeit, eine extrem geringe Ausbreitungsverzögerung und eine High-Side/Low-Side-Abstimmung von 3,4 ns zur Optimierung der Systemeffizienz bietet. Die Komponente verfügt über einen internen LDO, der unabhängig von der Versorgungsspannung eine Gate-Treiberspannung von 5 V gewährleistet.

Für die bestmögliche Performance in den verschiedensten Anwendungen ermöglicht der LMG1210 dem Entwickler die Wahl der optimalen Bootstrap-Diode zum Laden des High-Side-Bootstrap-Kondensators. Ein interner Schalter schaltet die Bootstrap-Diode aus, wenn die Low-Seite ausgeschaltet ist. Dadurch wird wirksam verhindert, dass der High-Side-Bootstrap überladen wird, und die Sperrverzögerungsladung wird minimiert. Zusätzlich wird die parasitäre Kapazität über den GaN-FET auf weniger als 1 pF minimiert, um zusätzliche Schaltverluste zu reduzieren.

Der LMG1210 verfügt über zwei Steuereingangsmodi, darunter den Modus mit unabhängigen Eingängen (IIM) und den PWM-Modus. Im IIM wird jeder der Ausgänge unabhängig von einem dedizierten Eingang gesteuert. Im PWM-Modus werden die zwei komplementären Ausgangssignale von einem einzigen Eingang erzeugt, und der Benutzer kann die Totzeit für jede Flanke von 0 ns bis 20 ns einstellen. Der LMG1210 erlaubt den Betrieb über einen großen Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C und ist in einem induktivitätsarmen WQFN-Gehäuse erhältlich.