STMicroelectronics

600 V MDMesh™-DM2-MOSFETs

STMicroelectronics präsentiert seine 600 V MDMesh™-DM2-MOSFETs für industrielle Anwendungen

Bild der 600 V MDMesh-DM2-MOSFETs von STMicroelectronicsDie neueste hocheffiziente MOSFET-Serie von STMicroelectronics mit schneller Freilaufdiode, sehr geringer Verzögerungsladung (Qrr) und sehr geringer Wiederherstellungszeit (trr) ist optimiert für Hochspannungs-Vollbrücken- und -Halbbrückentopologien, die eine hohe Schaltleistung erfordern. Diese 600-V-Komponenten bieten zudem einen extrem niedrigen Qg, extrem niedrige Coss/Ciss, sehr niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe dv/dt-Robustheit.

Hauptmerkmale
  • Sich schnell erholende Substratdiode
  • Extrem geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität
  • Geringer Durchlasswiderstand
  • Sehr geringe Verzögerungsladung (Qrr) und sehr geringe Wiederherstellungszeit (trr)
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Extrem hohe dv/dt-Robustheit
  • Zener-Schutz

600 V MDmesh DM2 MOSFETS

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 600V 24A TO247STW33N60DM2MOSFET N-CH 600V 24A TO247508 - Sofort$5.19Details anzeigen
MOSFET N-CH 650V 48A TO247STW56N65DM2MOSFET N-CH 650V 48A TO247917 - Sofort$9.18Details anzeigen
MOSFET N-CH 600V 12A TO220STP18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO220880 - Sofort$1.63Details anzeigen
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKSTB18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK1212 - Sofort$2.60Details anzeigen
MOSFET N-CH 600V 12A TO247STW18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO247602 - Sofort$3.10Details anzeigen
Veröffentlicht: 2016-02-24

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Datum der Veröffentlichung: 2016-03-09

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