650-V-GaN-HEMTs

Die 650-V-Galliumnitride-(GaN)-HEMTs GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z von ROHM sind für ein breites Spektrum von Spannungsversorgungssystemen vorgesehen. Diese Produkte werden gemeinsam mit Ancora Semiconductors, Inc. konzipiert, einer Tochtergesellschaft von Delta Elektronics, Inc. die GaN-Komponenten entwickelt.

Die Verbesserung des Wirkungsgrads von Netzteilen und Motoren, auf die der größte Teil des weltweiten Stromverbrauchs entfällt, ist zu einer bedeutenden Hürde auf dem Weg zu einer kohlenstoffarmen Gesellschaft geworden. Die Einführung neuer Materialien wie GaN und SiC ist der Schlüssel zur Verbesserung des Wirkungsgrads von Netzteilen.

Nach dem Start der Massenproduktion von 150-V-GaN-HEMTs mit einer Gate-Durchbruchspannung von 8 V im Jahr 2022 hat ROHM im März 2023 eine IC-Technologie zur Maximierung der Performance von GaN eingeführt. Diesmal hat ROHM 650-V-GaN-HEMTs mit marktführender Performance entwickelt, die zu höherer Effizienz und geringerer Größe in einer breiteren Palette von Spannungsversorgungssystemen beitragen.