Webinar - Hochspannungs-GaN-HEMT-Bauteile (EcoGaN™) für Stromversorgungssysteme

GaN-HEMTs (Galliumnitrid-HEMTs) haben es ermöglicht, einen entscheidenden Schritt in der Entwicklung von leistungsfähigen Bauelementen der nächsten Generation zu machen. Nicht auf Silizium basierende Verbindungshalbleiter wie GaN ermöglichen Komponenten mit höherem Wirkungsgrad, höherer Zuverlässigkeit, höherer Frequenz, höherer Leistung und geringerem Verbrauch. Rohm Semiconductor hat die besseren Schalteigenschaften und den geringeren Durchlasswiderstand von GaN in seiner GaN-HEMT- oder EcoGaN-Reihe von leistungsstarken GaNFETs genutzt.

Kengo Ohmori, Technical Product Marketing Manager bei Rohm Semiconductor in den USA, leitet die Diskussion über die Auswirkungen von GaN auf kompakte Geräte mit geringem Stromverbrauch und ICs, die die GaN-Technologie optimieren. Ohmori berichtet über die Zukunft von GaN-basierten Leistungssystemen sowie über andere wertvolle Erkenntnisse und Themen.

Das einstündige Online-Webinar findet am Donnerstag, den 03. Oktober 2024, um 11 AM CDT (USA) statt. Wenn Sie nicht am Webinar teilnehmen können, registrieren Sie sich bei Interesse bitte trotzdem, damit wir Ihnen nach Abschluss des Webinars eine Aufzeichnung zusenden können.

Registrieren Sie sich hier: https://event.on24.com/wcc/r/4711337/5C98B5EC96858152A6D25439BCC44AA6?partnerref=blog