

T6-MOSFET
- Niedriger RDS(on)/geringe Leitungsverluste
- 30 V, 0,7 mΩ in SO8FL: NTMFS4C020N
- 40 V, 0,67 mΩ in SO8FL (PQFN56): NTMFS5C404NL
- 60 V, 1,2 mΩ in SO8FL: NTMFS5C604NL
- Erhöhte Leistungsdichte
- Längere Batterielaufzeit
- Kompaktes Gehäuse
- Bester RDS(on) bei 40 V und 60 V auf dem Markt
- Sehr robuste Konstruktion Hohe Spitzenstrombelastbarkeit