NCD5700xDWR2G: hocheffiziente isolierte Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber mit interner galvanischer Trennung

Die Komponenten NCD57000 und NCD57001 von ON Semiconductor sind einkanalige Hochstrom-IGBT-Treiber mit interner galvanischer Trennung für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Die Komponente NCD57000 kann eingangsseitig sowohl 5-V- als auch 3,3-V-Signale und auf der Treiberseite einen großen Vorspannungsbereich aufnehmen, einschließlich negativer Spannungsfähigkeit. Der NCD57000 liefert >5 kV_RMS galvanische Trennung (UL1577-Einstufung) und >1200 V_IORM (Betriebsspannung). Der SNCD57000 ist im breiten SOIC-16-Gehäuse erhältlich und garantiert eine Kriechstrecke von 8 mm zwischen Eingang und Ausgang, um die erhöhten Anforderungen an die Sicherheitsisolierung zu erfüllen.

Zu den Merkmalen gehören ergänzende Eingänge, Open-Drain-Ausgänge FAULT und READY, aktive Miller-Klemme, genaue UVLOs, DESAT-Schutz und weiche Abschaltung bei DESAT. Die Komponente NCD5700 verfügt außerdem über separate High- und Low-Treiberausgänge (OUTH und OUTL), um das Systemdesign zu erleichtern.