Komplettes MOSFET-Portfolio

onsemi – stets führend bei Innovation und Technologie

Bild des kompletten MOSFET-Portfolios von Fairchildonsemi erfand Trench-MOSFETs in den 1990er-Jahren. Seither perfektioniert onsemi die MOSFET-Technologie und -Herstellung, um eine umfangreiche Palette mit Tausenden von Produkten für jede Anwendung zu entwickeln. MOSFETs von onsemi bieten erstklassige Performance, einen hohen FOM (Gütefaktor) und Pin-zu-Pin-Kompatibilität für eine einfache Bedienung. Entwickler wählen immer wieder MOSFETs von onsemi wegen ihrer hohen Qualität und Zuverlässigkeit, Design-Unterstützung und konsistenten Verfügbarkeit.

Niederspannung < 30 V Mittelspannung 30 V bis 250 V Hochspannung > 250 V bis 1700 V
Die breiteste Palette von Niederspannungs-N - und P-Kanal-MOSFETs für verschiedene Anwendungen, einschließlich DC/DC-Wandler, Hot-Swap- und Lastschalter. Die Mittelspannungs-MOSFETs bieten eine geringe Schaltknotenresonanz durch einen fortschrittlichen Trench-Prozess mit Shielded-Gate-Technologie. Die Familie der Planar-, Trench-, und Superjunction-Hochspannungs-MOSFETs von onsemi ist auf hohe Effizienz und Robustheit ausgelegt.
Komplettes Niederspannungsportfolio Komplettes Mittelspannungsportfolio Komplettes Hochspannungsportfolio

Warum onsemi FETs?

  • Energiebereitstellungslösungen sind Teil von onsemi Kerngeschäft und onsemi liefert seit über 50 Jahren kontinuierlich Leistungshalbleiter.
  • Die kombinierte MOSFET- und Gate-Treiber-IP ergibt anwendungsoptimierte Lösungen, die sowohl Leitungs- als auch Konvertierungsverluste in Bezug auf das Gesamtsystem minimieren.
  • Es besteht die Möglichkeit, MOSFETs, Controller und IP-PWM-Treiber mit erweiterten Verarbeitungs- und Gehäusevarianten zu kombinieren, um eine optimierte Komponentenwahl zu bieten.
  • MOSFETs von onsemi bieten eine überlegene Design-Zuverlässigkeit, von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingungen, über eine geringere Übergangskapazität und Sperrverzögerungsladung bis zur Eliminierung zusätzlicher externer Komponenten, um die Systeme länger am Laufen zu halten.

Featured Low Voltage MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFNFDMS7650MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN7030 - Sofort$2.95Details anzeigen
MOSFET N-CH 30V 47A POWER56FDMS7650DCMOSFET N-CH 30V 47A POWER568111 - Sofort$2.37Details anzeigen
MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33FDMC8010MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER336566 - Sofort$1.58Details anzeigen
MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFNFDMS7656ASMOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN1000 - Sofort$2.14Details anzeigen

Featured Mid Voltage MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFNFDMS86101MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN29564 - Sofort$2.41Details anzeigen
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56FDMS86101DCMOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL5614254 - Sofort$3.52Details anzeigen
MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFNFDMS86101AMOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN2284 - Sofort$3.04Details anzeigen
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFNFDMS86200MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN31665 - Sofort$2.55Details anzeigen
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56FDMS86200DCMOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL563114 - Sofort$4.24Details anzeigen
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3FDP075N15A-F102MOSFET N-CH 150V 130A TO220-31186 - Sofort$3.53Details anzeigen

Featured High Voltage MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3FCH041N60EMOSFET N-CH 600V 77A TO247-3733 - Sofort
103500 - Lagerbestand des Herstellers
$12.11Details anzeigen
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3FCH072N60FMOSFET N-CH 600V 52A TO247-319457 - Sofort
21150 - Lagerbestand des Herstellers
$6.38Details anzeigen
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3FCH072N60F-F085MOSFET N-CH 600V 52A TO247-30 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FFCPF400N80ZL1MOSFET N-CH 800V 11A TO220F0 - Sofort
655 - Marketplace
$1.36Details anzeigen
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FFCPF400N80ZMOSFET N-CH 800V 11A TO220F1084 - Sofort$3.64Details anzeigen
Veröffentlicht: 2016-02-11