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DRAMs mit chipintegriertem Fehlerkorrekturcode (ECC)
Datum der Veröffentlichung: 2025-03-10
Die DRAMs von ISSI mit integriertem Fehlerkorrekturcode (ECC) vereinfachen Systemdesigns, sparen Strom und reduzieren den Speicherplatz auf Platinen.
Die seriellen NAND-Flash-Speicherbausteine von ISSI bieten hochdichte SPI-kompatible Lösungen mit x1-, x2- und x4-Unterstützung, die sich ideal für Industrie- und Automobilanwendungen eignen.
ISSI's brochure for their low pin count RAM solutions.
Serielle und Quad-RAM-Lösungen
Datum der Veröffentlichung: 2024-04-04
Die seriellen und Quad-RAM-Speicher von ISSI bieten RAM-Lösungen mit niedriger Pin-Zahl und sind ideal für medizintechnische Anwendungen und Wearables.
ISSI's brochure for their serial and quad RAM products.
Today, ISSI offers 3.3V SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, as well as Low Power SDRAM, LPDDR and LPDDR2 DRAM.
ISSI's automotive memory solutions.
Legacy-DRAM mit DDR3
Datum der Veröffentlichung: 2023-10-12
Die DDR3-DRAM-Optionen von ISSI sind mit Dichten von 1 Gb bis 16 Gb und langfristigem Support erhältlich.
ISSI eMMC NAND Flash Memory offers unparalleled performance and endurance, including an enhanced mode that allows configuration as a pseudo-SLC.
Oktale Speicherlösungen
Datum der Veröffentlichung: 2023-04-13
Die oktalen Bus-xSPI-konforme Flash- und RAM-Komponenten von ISSI sind für sofortige leistungsstarke Anwendungen.
eMMC-NAND-Flash-Speicher
Datum der Veröffentlichung: 2023-03-15
Die eMMC-NAND-Flash-Speicherbausteine von ISSI unterstützen einen erweiterten Modus, bei dem die Komponente als Pseudo-SLC (pSLC) konfiguriert werden kann, um eine höhere Lese- und Schreibleistung zu erzielen.
Die Low-Voltage-Speicherbausteine LPDDR4 und LPDDR4X von ISSI sind in einer Dichte von 2, 4 und 8 Gigabit erhältlich. Die Speicher sind als ein oder zwei Kanäle pro Baustein organisiert, wobei jeder Kanal aus acht Bänken und 16 Bit besteht.
ISSI introduces its new Family of IS25LP and IS25WP/WJ series of flash devices. The family builds upon the success of ISSI’s IS25LQ and IS25WQ family by introducing leading edge features such as double data rate* interface modes, SFDP support, and the popular 2 cycle instruction input.
The ISSI LPDDR4 and LPDDR4X are low-voltage memory devices available in 2, 4, and 8 gigabit densities. The devices are organized as one or two channels per device where each channel is eight banks and 16-bits.
Mit einem direkt einsetzbaren Kit, das auf einem proprietären Algorithmus basiert, der auf einem stromsparenden digitalen Signalprozessor läuft, können Entwickler schnell eine Belegungsüberwachung implementieren.
Ein spezieller Prozessor und eine Software-Bibliothek bieten eine einfachere und sicherere Alternative für die gesichtsbasierte Authentifizierung.
Mobil-SDRAM LPDDR4/4X
Datum der Veröffentlichung: 2020-08-14
Die Mobil-SDRAM LPDDR4/4X von ISSI verwenden eine Architektur mit doppelter Datenrate für den Hochgeschwindigkeitsbetrieb und sind in den Dichten 2 GB, 4 GB und 8 GB erhältlich.
Mit RISC-V können Sie den Befehlssatz und die Hardware von Embedded-Systemen für ein optimales Energieprofil anpassen.
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