Mobil-SDRAM LPDDR4/4X
LPDDR4/4X-Speicher von ISSI verwenden eine Architektur mit doppelter Datenrate für den High-Speed-Betrieb
LPDDR4 und LPDDR4X von ISSI sind Niederspannungsspeicher-Bausteine, die in den Dichten 2 GB, 4 GB und 8 GB erhältlich sind. Die Geräte sind als 1/2-Kanäle pro Gerät organisiert und jeder Kanal besteht aus acht Bänken und 16 Bits. Die Bausteine LPDDR4 und LPDDR4X verwenden eine Architektur mit doppelter Datenrate für den Hochgeschwindigkeitsbetrieb. Die Architektur mit doppelter Datenrate ist im Wesentlichen eine 16n-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die zur Übertragung von zwei Daten-Worten pro Taktzyklus an den E/A-Pins entwickelt wurde.
Die Komponenten LPDDR4 and LPDDR4X bieten vollständig synchrone Operationen, die auf steigende und fallende Taktflanken referenziert werden. Die Datenpfade werden intern geleitet und besitzen ein 16n-Bit-Prefetch, sodass eine äußerst hohe Bandbreite erreicht wird. Sowohl der LPDDR4 als auch der LPDDR4X verfügen über programmierbare Lese- und Schreiblatenzen in programmierbaren und On-the-Fly-Burst-Längen. Die Niederspannungskerne und -E/A dieser Geräte machen sie ideal für mobile Anwendungen.
- Niederspannung
- LPDDR4: 1,8 V
- LPDDR4X: 1,1 V
- Niederspannungs-E/A
- LPDDR4: 1,1 V
- LPDDR4X: 0,6 V
- Frequenzbereich: 10 MHz bis 1600 MHz
- E/A-Datenraten: 20 Mbit/s bis 3200 Mbit/s
- 16n-Prefetch-DDR-Architektur
- Acht interne Banken pro Kanal für gleichzeitigen Betrieb
- Gemultiplexte Befehls-/Adresseingänge mit doppelter Datenrate
- Mobile Funktionen für geringeren Stromverbrauch
- Programmierbare und On-the-Fly-Burst-Länge (BL=16 oder 32)
- Programmierbare Latenzen beim Lesen und Schreiben
- On-Chip-Temperatursensor für effiziente Selbstauffrischungssteuerung
- ZQ-Kalibrierung
- Einstellbare Antriebsstärke
- Selbstauffrischung von Teilarrays (PASR)
- 10 mm x 14,5 mm BGA-200-Gehäuse
- Taktfrequenz: 1,6 GHz
- Speicherformat: DRAM
- Speicherschnittstelle: parallel
- Speichertyp: flüchtig
- Montageart: Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur: -40 °C bis 95 °C (TC)
- Gehäuse: 200-TFBGA bis 200-WFBGA
- Technologie: SDRAM-Mobilgeräte LPDDR4
- Versorgungsspannung: 1,06 V bis 1,17 V; 1,7 V bis 1,95 V
- Mobilcomputer
- Tablets
LPDDR4/4X Mobile SDRAM
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | IS43LQ16256A-062BLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGA | 0 - Sofort | See Page for Pricing | Details anzeigen |
![]() | ![]() | IS43LQ32128A-062BLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGA | 0 - Sofort | See Page for Pricing | Details anzeigen |
![]() | ![]() | IS43LQ32256A-062BLI | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 200TFBGA | 134 - Sofort | $21.27 | Details anzeigen |






