Mobil-SDRAM LPDDR4/4X | Datasheet Preview
Die Low-Voltage-Speicherbausteine LPDDR4 und LPDDR4X von ISSI sind in einer Dichte von 2, 4 und 8 Gigabit erhältlich. Die Speicher sind als ein oder zwei Kanäle pro Baustein organisiert, wobei jeder Kanal aus acht Bänken und 16 Bit besteht. LPDDR4 und LPDDR4X verwenden eine Architektur mit doppelter Datenrate, um einen schnellen Betrieb zu gewährleisten. Die Speicher verwenden eine Architektur mit doppelter Datenrate für Highspeed-Betrieb. Die DDR-Architektur ist im Wesentlichen eine 16N-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den I/Os ausgelegt ist. LPDDR4 und LPDDR4X bieten beide vollsynchronen Betrieb in Bezug auf steigende und fallende Taktflanken. Beide Speicher bieten auch programmierbare Lese- und Schreib-Latenzen in einstellbaren und während des Betriebs anpassbaren Burst-Längen. Die Low-Voltage-Cores und I/Os dieser Speicher machen sie ideal für mobile Anwendungen.
Part List
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | IS43LQ16256A-062BLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGA | 0 - Sofort | See Page for Pricing | Details anzeigen |
![]() | ![]() | IS43LQ32256A-062BLI | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 200TFBGA | 134 - Sofort | $21.27 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | IS43LQ32128A-062BLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGA | 0 - Sofort | See Page for Pricing | Details anzeigen |





