T9MOSFETs-LG

Automotive Trench 9 MOSFETs

Nexperia

This presentation will explain the benefits of the Trench 9 technology including the product power density, surviving application fault tolerance, and improving efficiency of MOSFETs in parallel in high power applications.

Related Parts

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56BUK7J1R4-40HXMOSFET N-CH 40V 190A LFPAK561439 - Sofort$3.53Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y1R7-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561375 - Sofort$1.97Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561130 - Sofort$2.70Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561370 - Sofort$1.68Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK560 - Sofort$1.45Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561016 - Sofort$1.84Details anzeigen
PTM Veröffentlicht am:

Related Videos

New Trench 9 automotive MOSFETs from Nexperia, with 30% reduction in RDS(on)
New Trench 9 automotive MOSFETs from Nexperia, with 30% reduction in RDS(on)

Datum der Veröffentlichung: 2017-11-20

Related Product Highlight

MOSFETs LFPAK88 für die Automobiltechnik Die MOSFETs LFPAK88 von Nexperia für die Automobiltechnik mit einer Grundfläche von 8 mm x 8 mm verfügen über ein hochentwickeltes Gehäusedesign, das AEC-Q101 um das Zweifache übertrifft.
Trench-9-MOSFETs für die Automobiltechnik Die Trench-9-Leistungs-MOSFETs von Nexperia kombinieren Niederspannungs-Superjunction-Technologie mit hochentwickelten Gehäuse-Technologien, um hohe Leistung und Robustheit zu erzielen.
40-V-MOSFET Trench 9 Die Trench-9-Leistungs-MOSFETs von Nexperia kombinieren Niederspannungs-Superjunction-Technologie mit fortschrittlicher Gehäusetechnologie.

Related Articles and Blogs

Maximale Leistungsdichte und Performance in Schaltwandler-Anwendungen mit Dual-MOSFETs Überlegungen zum thermischen Design von Schaltungen und Leiterplatten, zur elektrothermischen Simulation und zur Verlustanalyse für optimale MOSFET-Leistungsdichte und -Performance.