40-V-MOSFET Trench 9
Nexperias Superjunction-MOSFETs in LFPAK56/56E-Gehäusen reduzieren den Einschaltwiderstand um bis zu 30 %.
Die in erster Linie für die Automobilbranche konzipierten Leistungs-MOSFETs Trench 9 von Nexperia kombinieren die Niederspannungs-Superjunction-Technologie des Unternehmens mit dessen fortschrittlicher Gehäusetechnologie und bieten damit hohe Leistung und Robustheit. Nexperia hat sein Portfolio von SO8-Leistungs-MOSFETs mit Automobilzulassung erweitert und Bauteile mit extrem niedrigem RDS(ON) hinzugefügt, die auf die ständig wachsende Nachfrage nach höherer Leistungsdichte in vielen typischen Automobilanwendungen ausgerichtet sind. Alle Trench-9-Komponenten erfüllen den Standard AEC-Q101 und übertreffen sogar die Anforderungen dieses internationalen Automobilstandards in den wichtigsten Zuverlässigkeitstests, darunter zyklische Temperaturänderungen, Hochtemperatur-Gate-Vorspannung, Hochtemperatur-Umkehrspannung und intermittierende Lebensdauer, um das Zweifache.
FPAK56E ist die neueste Innovation in der Familie der Automobiltechnik-LFPAK-Gehäuse von Nexperia. LFPAK56E ist eine verbesserte Version des beliebten LFPAK56-Gehäuses mit optimiertem Leiterrahmen und Gehäuse-Design, was in einer Verbesserung desRDS(ON) und einer Leistungsdichte von bis zu 30 % resultiert. Diese Verbesserung der Leistungsdichte ermöglicht den Einsatz des Trench-9-MOSFET LFPAK56 in Anwendungen, die bisher nur mit D2PAK und D2PAK-7 möglich waren, und damit erhebliche Platzersparnis auf der Platine.
Nexperias Superjunction-Technologie bietet eine verbesserte Avalanche- und SOA-Fähigkeit (SOA/Safe Operating Area: sicherer Arbeitsbereich) im Vergleich zur konkurrierenden Technologie, sodass Schlüsselkomponenten auch Fehlerzustände überstehen. Traditionell werden die meisten Anbieter TrenchMOS-Technologien für Single-Shot- oder wiederkehrende Avalanche-Anwendungen nicht empfehlen. Trench 9 wurde speziell für den außergewöhnlichen Single-Shot- und Repetitive-Avalanche-Betrieb entwickelt für anspruchsvolle Anwendungen und Fehlerzustände; Nexperias MOSFET-Trench-9-Datenblätter enthalten Single-Shot- und Repetitive-Avalanche-Bewertungen.
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Trench 9 40 V MOSFETs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
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![]() | ![]() | BUK7Y3R5-40HX | MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 | 1056 - Sofort | $2.13 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BUK7J1R4-40HX | MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56 | 1499 - Sofort | $4.07 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BUK7Y1R7-40HX | MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 | 1475 - Sofort | $2.21 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BUK7Y2R0-40HX | MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 | 1235 - Sofort | $3.12 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BUK7Y2R5-40HX | MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 | 1400 - Sofort | $1.93 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | BUK7Y3R0-40HX | MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 | 50 - Sofort | $1.65 | Details anzeigen |





