40-V-MOSFET Trench 9

Nexperias Superjunction-MOSFETs in LFPAK56/56E-Gehäusen reduzieren den Einschaltwiderstand um bis zu 30 %.

Abbildung: 40-V-MOSFET Trench 9 von NexperiaDie in erster Linie für die Automobilbranche konzipierten Leistungs-MOSFETs Trench 9 von Nexperia kombinieren die Niederspannungs-Superjunction-Technologie des Unternehmens mit dessen fortschrittlicher Gehäusetechnologie und bieten damit hohe Leistung und Robustheit. Nexperia hat sein Portfolio von SO8-Leistungs-MOSFETs mit Automobilzulassung erweitert und Bauteile mit extrem niedrigem RDS(ON) hinzugefügt, die auf die ständig wachsende Nachfrage nach höherer Leistungsdichte in vielen typischen Automobilanwendungen ausgerichtet sind. Alle Trench-9-Komponenten erfüllen den Standard AEC-Q101 und übertreffen sogar die Anforderungen dieses internationalen Automobilstandards in den wichtigsten Zuverlässigkeitstests, darunter zyklische Temperaturänderungen, Hochtemperatur-Gate-Vorspannung, Hochtemperatur-Umkehrspannung und intermittierende Lebensdauer, um das Zweifache.

FPAK56E ist die neueste Innovation in der Familie der Automobiltechnik-LFPAK-Gehäuse von Nexperia. LFPAK56E ist eine verbesserte Version des beliebten LFPAK56-Gehäuses mit optimiertem Leiterrahmen und Gehäuse-Design, was in einer Verbesserung desRDS(ON) und einer Leistungsdichte von bis zu 30 % resultiert. Diese Verbesserung der Leistungsdichte ermöglicht den Einsatz des Trench-9-MOSFET LFPAK56 in Anwendungen, die bisher nur mit D2PAK und D2PAK-7 möglich waren, und damit erhebliche Platzersparnis auf der Platine.

Nexperias Superjunction-Technologie bietet eine verbesserte Avalanche- und SOA-Fähigkeit (SOA/Safe Operating Area: sicherer Arbeitsbereich) im Vergleich zur konkurrierenden Technologie, sodass Schlüsselkomponenten auch Fehlerzustände überstehen. Traditionell werden die meisten Anbieter TrenchMOS-Technologien für Single-Shot- oder wiederkehrende Avalanche-Anwendungen nicht empfehlen. Trench 9 wurde speziell für den außergewöhnlichen Single-Shot- und Repetitive-Avalanche-Betrieb entwickelt für anspruchsvolle Anwendungen und Fehlerzustände; Nexperias MOSFET-Trench-9-Datenblätter enthalten Single-Shot- und Repetitive-Avalanche-Bewertungen.

Merkmale
  • Sechs Produkte mit Standardwerten: von 1,4 mΩ bis 3,5 mΩ
  • RDS(ON)-Fähigkeit verbessert von 3 mΩ auf 1,4 mΩ
  • Sehr robuste Super-Junction-Technologie mit außergewöhnlicher SOA- und Avalanche-Fähigkeit
  • Verbessertes LFPAK56E-Design ermöglicht eine bis zu 30-prozentige Verbesserung bei RDS(ON) und Leistungsdichte
  • Verbesserte Effizienz und Leistungsdichte durch geringeren RDS(ON) und verbesserte Schaltleistung
  • Enge Vth-Grenzen ermöglichen eine einfache Parallelschaltung der MOSFETs in Hochstrom-Anwendungen
  • Verbesserter ID, max. bis zu 120 A
Anwendungen

  • Motorsteuerung (Bürsten- und bürstenlose Motoren)
  • Servolenkung und Getriebesteuerung
  • ABS und elektronische Stabilitätskontrolle (ESC)
  • Pumpen: Wasser, Öl und Kraftstoff
  • Batterie-Verpolungsschutz
  • DC/DC-Wandler

Trench 9 40 V MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561056 - Sofort$2.13Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56BUK7J1R4-40HXMOSFET N-CH 40V 190A LFPAK561499 - Sofort$4.07Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y1R7-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561475 - Sofort$2.21Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561235 - Sofort$3.12Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561400 - Sofort$1.93Details anzeigen
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK5650 - Sofort$1.65Details anzeigen
Veröffentlicht: 2017-11-30