HF-FETs, HF-MOSFETs

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Strom - Test
Leistung - Abgabe
Spannung - Nennwert
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
BCV27
RF MOSFET JFET 15V SOT23-3
onsemi
30.809
Vorrätig
Für dieses Produkt gilt eine maximale Einkaufsmenge
1 : 0,39000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08376 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
JFET
N-Kanal
400MHz
-
15 V
10mA
4dB
-
-
25 V
-
-
Oberflächenmontage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
Micro-X Plastic Package
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
CEL
23.080
Vorrätig
1 : 1,44000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,69078 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
pHEMT FET
-
12GHz
13,7dB
2 V
15mA
0,5dB
10 mA
125mW
4 V
-
-
-
4-Micro-X
4-Micro-X
Micro-X Plastic Package
RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX
CEL
352
Vorrätig
1 : 1,96000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,97275 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
pHEMT FET
-
20GHz
13,8dB
2 V
15mA
0,8dB
10 mA
125mW
4 V
-
-
-
4-Micro-X
4-Micro-X
SOT-89A
RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A
NXP USA Inc.
7.692
Vorrätig
1 : 3,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,87178 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
LDMOS
-
520MHz
20,9dB
7.5 V
-
-
100 mA
4,9W
30 V
-
-
Oberflächenmontage
TO-243AA
SOT-89A
PLD-1.5W
RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
NXP USA Inc.
5.889
Vorrätig
1 : 11,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 6,80562 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
LDMOS
-
870MHz
15,2dB
7.5 V
-
-
100 mA
7,3W
30 V
-
-
Oberflächenmontage
PLD-1,5W
PLD-1,5W
TAV2-501+
RF MOSFET E-PHEMT 4.5V MC1631-1
Mini-Circuits
5.592
Vorrätig
1 : 11,82000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 1,38385 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
E-pHEMT
-
400MHz bis 3,9GHz
23,5dB
4.5 V
-
1,3dB
280 mA
-
7 V
-
-
Oberflächenmontage
8-TFDFN mit freiliegendem Pad
MC1631-1
SAV-331+
RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362
Mini-Circuits
3.573
Vorrätig
1 : 15,60000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,02239 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
E-pHEMT
-
45MHz bis 6GHz
20,9dB
3 V
-
1,8dB
15 mA
20dBm
5 V
-
-
Oberflächenmontage
SC-82A, SOT-343
MMM1362
SAV-331+
RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362
Mini-Circuits
2.095
Vorrätig
1 : 15,60000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 1,49746 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
E-pHEMT
-
45MHz bis 6GHz
23,2dB
3 V
-
1,9dB
60 mA
21,5dB
5 V
-
-
Oberflächenmontage
SC-82A, SOT-343
MMM1362
BLP15H9S10GZ
RF MOSFET LDMOS SOT1483-1
Ampleon USA Inc.
950
Vorrätig
1 : 15,90000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 10,28144 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
LDMOS
-
1MHz bis 941MHz
18,4dB
-
-
-
-
25W
13.6 V
-
-
Oberflächenmontage
SOT-1483-1
SOT1483-1
BLP15H9S10GZ
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1
Ampleon USA Inc.
1.195
Vorrätig
1 : 17,01000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 11,04616 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
LDMOS
-
400MHz bis 2,7GHz
19dB
28 V
1,4µA
-
180 mA
43dBm
65 V
-
-
Oberflächenmontage
SOT-1483-1
SOT1483-1
BLP15H9S10GZ
RF MOSFET LDMOS 50V SOT1483-1
Ampleon USA Inc.
1.535
Vorrätig
1 : 19,02000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 12,44554 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
LDMOS
Doppelt, gemeinsame Quelle
1,4GHz
22dB
50 V
1,4µA
-
60 mA
10W
104 V
-
-
Oberflächenmontage
SOT-1483-1
SOT1483-1
BLP15H9S10GZ
RF MOSFET LDMOS SOT1483-1
Ampleon USA Inc.
2.697
Vorrätig
1 : 19,88000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 13,04608 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
LDMOS
-
1MHz bis 1,5GHz
17dB
-
-
-
-
30W
50 V
-
-
Oberflächenmontage
SOT-1483-1
SOT1483-1
BLP15H9S10XY
RF MOSFET LDMOS 50V SOT1482-1
Ampleon USA Inc.
390
Vorrätig
1 : 19,88000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 13,04608 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
LDMOS
-
1,5GHz
22dB
50 V
1,4µA
-
10 mA
30W
106 V
-
-
Oberflächenmontage
SOT-1482-1
SOT-1482-1
PLD-1.5
RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5
NXP USA Inc.
3.533
Vorrätig
1 : 21,66000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 13,92552 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
LDMOS
-
1,96GHz
18dB
28 V
-
-
50 mA
4W
68 V
-
-
Oberflächenmontage
PLD-1,5
PLD-1,5
BLP15H9S10GZ
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1
Ampleon USA Inc.
230
Vorrätig
1 : 22,65000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 14,99410 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
LDMOS
-
400MHz bis 2,7GHz
19dB
28 V
1,4µA
-
100 mA
20W
65 V
-
-
Oberflächenmontage
SOT-1483-1
SOT1483-1
TO-270-2 Gull Wing
RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
NXP USA Inc.
881
Vorrätig
1 : 33,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 22,37670 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
LDMOS
-
520MHz
17,7dB
13.6 V
-
-
10 mA
31W
40 V
-
-
Oberflächenmontage
TO-270BA
TO-270-2 schwingenförmig
3 SIL
RF MOSFET TO247
NXP USA Inc.
269
Vorrätig
1 : 34,32000 €
Stange
-
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
LDMOS
N-Kanal
1,8MHz bis 50MHz
28,2dB
50 V
-
-
50 mA
300W
50 V
-
-
Durchkontaktierung
3-SIP
3-SIL
MHT1803B
RF MOSFET TO247
NXP USA Inc.
618
Vorrätig
1 : 34,91000 €
Stange
-
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MRF101xN
RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
NXP USA Inc.
166
Vorrätig
1 : 34,92000 €
Stange
-
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
LDMOS
-
1,8MHz bis 250MHz
21,1dB
50 V
10µA
-
100 mA
115W
133 V
-
-
-
TO-220-3
TO-220-3
474
Vorrätig
1 : 41,21000 €
Tablett
-
Tablett
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N-Kanal
400MHz
16dB
28 V
2,5A
1dB
25 mA
15W
65 V
-
-
-
211-07
211-07, Typ 2
230
Vorrätig
1 : 43,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
200 : 30,84640 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
HEMT
-
0Hz bis 6GHz
12dB
28 V
-
-
100 mA
8W
84 V
-
-
Oberflächenmontage
6-VDFN mit freiliegendem Pad
16-QFN (3x3)
TO-270 WB-4
RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4
NXP USA Inc.
2.496
Vorrätig
1 : 53,48000 €
Gurtabschnitt (CT)
500 : 37,14872 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
LDMOS
Zweif.
520MHz
18,5dB
12.5 V
-
-
400 mA
70W
40 V
-
-
Oberflächenmontage
TO-270AB
TO-270 WB-4
VRF150
RF MOSFET 50V M174
Microchip Technology
45
Vorrätig
1 : 58,93000 €
Box
-
Box
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N-Kanal
150MHz
11dB
50 V
1mA
-
250 mA
150W
170 V
-
-
-
M174
M174
QPD0030
DC-4 GHZ, 45W, 48V GAN RF PWR TR
Qorvo
260
Vorrätig
1 : 71,71000 €
Gurtabschnitt (CT)
250 : 36,62928 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
GaN HEMT
-
5GHz
15,5dB
48 V
-
-
150 mA
45W
55 V
-
-
Oberflächenmontage
20-VFQFN mit freiliegendem Pad
20-QFN (3x4)
TQP3M9018
0.03-3.0GHZ,10W,32V GAN RF I/P-M
Qorvo
100
Vorrätig
1 : 74,14000 €
Gurtabschnitt (CT)
100 : 48,17210 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
HEMT
N-Kanal
30MHz bis 3GHz
17,1dB
32 V
-
-
50 mA
10W
100 V
-
-
Oberflächenmontage
16-VFQFN mit freiliegendem Pad
16-QFN (3x3)
Angezeigt werden
von 3.753

HF-FETs, HF-MOSFETs


HF-Transistoren, -FETs und -MOSFETs sind Halbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, bei denen der durch die Komponente fließende Strom durch eine elektrisches Feld gesteuert wird. Die Komponenten dieser Familie sind für die Verwendung in Equipment konzipiert, in dem HF-Frequenzen auftreten. Transistortypen zur Verstärkung oder zum Schalten des Signals oder der Versorgung sind E-pHEMT, LDMOS, MESFET, N-Kanal, P-Kanal, pHEMT, Siliziumkarbid, 2 N-Kanal und 4 N-Kanal.