Leistungstreibermodule

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Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
Typ
Konfiguration
Strom
Spannung
Spannung - Isolation
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
39-VFQFN
FDMF5062
SMART POWER STAGE 70A 39PQFN
onsemi
269
Vorrätig
1 : 4,44000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 1,63202 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
1-phasig
70 A
30 V
-
-
-
Oberflächenmontage
39-PowerVFQFN
30-QFN
NV6128
GANFAST SINGLE, 650V, 70MOHMS, P
Navitas Semiconductor, Inc.
3.165
Vorrätig
1 : 7,60000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 4,12125 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrücke
20 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
30-PowerVQFN
CIPOS Series
IKCM30F60GAXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
2.021
Vorrätig
1 : 12,34000 €
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
SPM27CC
FSBB20CH60C
MODULE SPM 600V 20A 27PWRDIP
onsemi
275
Vorrätig
1 : 19,89000 €
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul (1,205", 30,60mm)
52 VQFN
LMG3522R030RQSR
650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Texas Instruments
1.537
Vorrätig
1 : 22,81000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 10,77020 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrückenwechselrichter
55 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
52-VQFN mit freiliegendem Pad
LMG3526R030RQST
LMG3522R030QRQSTQ1
AUTOMOTIVE 650-V 30-M GAN FET WI
Texas Instruments
216
Vorrätig
1 : 31,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
250 : 21,61836 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrückenwechselrichter
55 A
650 V
-
Automobiltechnik
AEC-Q100
Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
52-VQFN mit freiliegendem Pad
CIPOS-Mini_24
IM828XCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 35A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
180
Vorrätig
1 : 76,42000 €
Stange
Stange
Aktiv
MOSFET
3-phasiger Wechselrichter
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,094", 27,80mm)
32
Vorrätig
1 : 580,27000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
MOSFET
3 Phasen
10 A
50 V
-
-
-
Oberflächenmontage
18-SMD-Modul
22-QFN
AOZ5507QI_2
25V/30A 5X5 DRMOS POWER MODULE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8.700
Vorrätig
1 : 2,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,65391 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
1-phasig
30 A
-
-
-
-
Oberflächenmontage
22-poliges PowerVFQFN-Modul
30-QFN
NV6127
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 30QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3.970
Vorrätig
1 : 5,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 2,70354 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrücke
12 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
30-PowerVQFN
NV6115
NV6117
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
1.925
Vorrätig
1 : 5,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 2,70354 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrücke
12 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
8-PowerVDFN
258
Vorrätig
1 : 8,70000 €
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
6 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
275
Vorrätig
1 : 9,21000 €
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
568
Vorrätig
1 : 9,31000 €
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
235
Vorrätig
1 : 10,31000 €
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
26 PowerDIP
STGIB10CH60TS-L
SLLIMM(TM) - 2ND SERIES IPM, 3-P
STMicroelectronics
167
Vorrätig
1 : 12,78000 €
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
15 A
600 V
1500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-PowerDIP-Modul (1,157", 29,40mm)
FNx4x060x2
FNB41060B2
IGBT 3PH 600V 10A MODULE
onsemi
140
Vorrätig
1 : 13,23000 €
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
FNB41060
MOD SPM 600V 10A SPM26-AA
onsemi
172
Vorrätig
1 : 13,55000 €
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IKCM20L60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
207
Vorrätig
1 : 13,84000 €
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
FNx4x060x2
FNB43060T2
MODULE SPM 600V 30A SPMAB
onsemi
18
Vorrätig
1 : 16,74000 €
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
FPDB40PH60B
FPDB40PH60B
MODULE SPM 600V 40A SPMGC
onsemi
127
Vorrätig
1 : 17,72000 €
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
2 Phasen
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul (1,205", 30,60mm)
STK541UC62K-E
STK541UC62K-E
MOD IPM 600V 10A 23PWRSIP
onsemi
151
Vorrätig
1 : 20,58000 €
Stange
-
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
23-poliges PowerSIP-Modul, 19 Anschlüsse, geformte Anschlüsse
DIP 36x23D
IM818SCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 8A 24PWRDIP
Infineon Technologies
204
Vorrätig
1 : 27,38000 €
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
8 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,205", 30,60mm)
FNA21012A
FNA23512A
MODULE SPM 1.2V 35A 34PWRDIP
onsemi
35
Vorrätig
504
Fabrik
1 : 62,41000 €
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
34-PowerDIP-Modul (1,480", 37,60mm)
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
SCALE-2 PNP DUAL GATE DRVR 1.7KV
Power Integrations
558
Vorrätig
1 : 188,13000 €
Tablett
Tablett
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
1800 A
1.7 kV
5000Vrms
-
-
-
Modul
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Leistungstreibermodule


Leistungstreibermodule bieten die physische Hülle für Leistungskomponenten, in der Regel IGBTs und MOSFETs in einer Halbbrücke oder in ein-, zwei- oder dreiphasigen Konfigurationen. Die Leistungshalbleiter oder Chips werden auf ein Substrat gelötet oder gesintert, das die Leistungshalbleiter trägt und bei Bedarf elektrischen und thermischen Kontakt sowie elektrische Isolierung bietet. Leistungsmodule bieten eine höhere Leistungsdichte und sind in vielen Fällen zuverlässiger und leichter zu kühlen.