Name: XP3P010M
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3P010MTR-ND
Price: 1.2495 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

XP3P010M
DigiKey-Teilenr.	5048-XP3P010MTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 5048-XP3P010MCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 5048-XP3P010MDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	YAGEO XSEMI
Hersteller-Teilenummer	XP3P010M
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 13,3 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	YAGEO XSEMI
Serie	XP3P010
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	54.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6080 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)