N-Kanal 30 V 29,2A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 31,25W (Tc) Oberflächenmontage 8-PMPAK (5x6)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 30 V 29,2A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 31,25W (Tc) Oberflächenmontage 8-PMPAK (5x6)
YAGEO XSemi N- and P-Channel Power MOSFETs PIO | DigiKey

XP3NA3R4MT

DigiKey-Teilenr.
5048-XP3NA3R4MTTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
5048-XP3NA3R4MTCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
5048-XP3NA3R4MTDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
YAGEO XSEMI
Hersteller-Teilenummer
XP3NA3R4MT
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 29,2A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 31,25W (Tc) Oberflächenmontage 8-PMPAK (5x6)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
YAGEO XSEMI
Serie
XP3NA3R4
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
29,2A (Ta), 73A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,4mOhm bei 19A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3360 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 31,25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-PMPAK (5x6)
Gehäuse / Hülle
8-PowerLDFN
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Gurtabschnitt (CT)
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100,44600 €4,46 €
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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6.0000,14576 €874,56 €
9.0000,13905 €1.251,45 €
15.0000,13152 €1.972,80 €
21.0000,12706 €2.668,26 €
30.0000,12277 €3.683,10 €
Standardverpackung des Herstellers
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