Name: XP3NA3R4MT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3NA3R4MTTR-ND
Price: 1.0234 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

XP3NA3R4MT
DigiKey-Teilenr.	5048-XP3NA3R4MTTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 5048-XP3NA3R4MTCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 5048-XP3NA3R4MTDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	YAGEO XSEMI
Hersteller-Teilenummer	XP3NA3R4MT
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 29,2A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 31,25W (Tc) Oberflächenmontage PMPAK® 5 x 6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	YAGEO XSEMI
Serie	XP3NA3R4
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29,2A (Ta), 73A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,4mOhm bei 19A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	36.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3360 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 31,25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PMPAK® 5 x 6
Gehäuse / Hülle	8-PowerLDFN